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1.記憶的分類：
?。?）情景記憶和語義記憶。
情景記憶：人們根據(jù)時空關(guān)系對某個事件的記憶；
語義記憶：人們對一般知識和規(guī)律的記憶，與特殊的地點、時間無關(guān)。
（2）外顯記憶和內(nèi)隱記憶。
外顯記憶：指在意識的控制下，過去經(jīng)驗對當(dāng)前作業(yè)產(chǎn)生的有意識的影響；
內(nèi)隱記憶：指個體在無法意識的情況下，過去經(jīng)驗對當(dāng)前作業(yè)產(chǎn)生的無意識的影響。
?。?）感覺記憶、短時記憶和長時記憶。
感覺記憶：當(dāng)客觀刺激停止作用后，感覺信息在一個極短的時間內(nèi)保存下來；
短時記憶：感覺記憶和長時記憶的中間階段，保持時間大約為5秒到2分鐘；
長時記憶：指信息經(jīng)過充分和有一定深度的加工后，在頭腦中長時間保留下來。
?。?）程序性記憶和陳述性記憶。
程序性記憶：指如何作事情的記憶，包括對知覺技能、認知機能和運動機能的記憶；
陳述性記憶：指對有關(guān)事實和事件的記憶，他可以通過語言傳授而一次性獲得。
2.記憶是一個過程
記憶是一個過程，包括信息編碼、存儲和提取三個基本過程。信息編碼：是個體對外界信息進行形式轉(zhuǎn)換的過程，包括對外界信息進行反復(fù)的感知、思考、體驗和操作。存儲：是把感知過的事物、體驗過得情感、做過的動作、思考過得問題等，以一定的形式保持在人們的頭腦中；提?。菏侵笍拈L時記憶中查找已有的信息的過程。
3.記憶的腦學(xué)說理論：
?。?）整合論：美國心理學(xué)家拉胥里提出。認為：記憶是整個大腦皮層活動的結(jié)果，它和腦的各個部分都有關(guān)系，而不是皮層某個特殊部位的機能。他用實驗的方法破壞動物大腦皮層的不同區(qū)域，發(fā)現(xiàn)大腦皮層破壞的區(qū)域越大，記憶的喪失就越嚴重。
（2）定位論：法國醫(yī)生布洛卡提出腦機能定位論。認為：腦的機能是由大腦的一些特定區(qū)域負責(zé)的，記憶當(dāng)然也不例外。
（3）SPI理論：功能模塊。SPI是串行（Serial）、并行（Parallel）、獨立（Independent）的縮寫。這種理論認為，記憶系統(tǒng)是由多個執(zhí)行特定功能的記憶模塊構(gòu)成的。信息以串行的加工方式進入記憶系統(tǒng)，在一個記憶模塊中的編碼依賴于某些其他功能模塊中信息加工是否成功。也就是說，一個記憶模塊的輸出提供給另外模塊的輸入。信息以并行的方式存儲在各個特定的記憶模塊中，提取一個子系統(tǒng)的信息不會牽連其他的子系統(tǒng)，各個子系統(tǒng)之間是相對獨立的。
4.記憶的腦細胞機制
神經(jīng)元和突觸結(jié)構(gòu)的改變是短時記憶向長時記憶過渡的生理機制。這改變包括相鄰神經(jīng)元突觸結(jié)構(gòu)的變化、神經(jīng)元膠質(zhì)細胞的增加和神經(jīng)元之間突觸連接數(shù)量的增加；長時程增強作用對長時記憶有重要意義；記憶是由神經(jīng)元內(nèi)部的核糖核酸的分子結(jié)構(gòu)來承擔(dān)的，認為脫氧核糖核酸和核糖核酸是記憶的化學(xué)分子載體。并且激素能夠影響記憶的保持。
5.感覺記憶、短時記憶和長時記憶
?。?）感覺記憶：是記憶系統(tǒng)的開始階段，它是一種原始的感覺形式，是記憶系統(tǒng)在對外界信息進行進一步加工之前的暫時登記。圖象記憶是感覺記憶的主要編碼形式。斯伯林的局部報告法證明了感覺記憶的存在。
（2）短時記憶：是感覺記憶和長時記憶的中間階段。它最大特點是其保持的容量是有限的（大約5－9個單位，7±2），在沒有復(fù)述的情況下，信息在短時記憶中保持的時間很短。來自感覺記憶的信息可以在短時記憶中得到加工而進入長時記憶；來自長時記憶的信息也可以進入短時記憶，并得到進一步加工。復(fù)述是短時記憶的存儲信息的方法，可以防止短時記憶中的信息發(fā)生遺忘。短時記憶的遺忘主要是由于其他信息的干擾引起的。
（3）長時記憶構(gòu)成了個體關(guān)于外界和自身的全部知識經(jīng)驗。長時記憶的信息容量沒有限制，良好的編碼能夠改善信息在長時記憶中的保持和提取。
①長時記憶保持所需條件是：
A.組織有效的復(fù)習(xí)。與遺忘斗爭的首要條件是組織記后的復(fù)習(xí)，沒有復(fù)述的信息是不可能進入長時記憶的，因此我們要復(fù)習(xí)要及時；正確分配復(fù)習(xí)時間；閱讀與重現(xiàn)交替進行；注意排除前后材料的影響。
B.利用外部記憶手段。
C.注意腦的健康和用腦衛(wèi)生。
②長時記憶中信息的遺忘：勤*思網(wǎng)不斷更新中，請關(guān)注！德國心理學(xué)家艾賓浩斯認為“保持和遺忘是時間的函數(shù)”，提出了艾賓浩斯曲線。影響遺忘進程的因素除了最主要的時間因素以外還有：1、識記材料的性質(zhì)與數(shù)量；2、學(xué)習(xí)的程度；3、識記材料的系列位置（如近因效應(yīng)和首因效應(yīng)）；4、識記者的態(tài)度。
?、圻z忘的原因：
1、衰退說；2、干擾說；3、壓抑說；4、提取失敗。
6.內(nèi)隱記憶和外顯記憶的關(guān)系
?。?）加工深度因素對內(nèi)隱記憶和外顯記憶的影響不同。加工深度不影響內(nèi)隱記憶；但對外顯記憶則有非常明顯的影響。
?。?）內(nèi)隱記憶和外顯記憶的保持時間不同。內(nèi)隱記憶隨時間延長而發(fā)生的消退要比外顯記憶慢的多。
（3）記憶負荷量的變化對內(nèi)隱記憶和外顯記憶產(chǎn)生的影響不同。外顯記憶會隨著記憶的項目的增多而不容易記??；內(nèi)隱記憶則不然。
（4）呈現(xiàn)方式的改變對外顯記憶和內(nèi)隱記憶有不同的影響。感覺通道的改變會嚴重影響內(nèi)隱記憶的作業(yè)成績，而對外顯記憶的效果沒有影響。
?。?）干擾因素對外顯記憶和內(nèi)隱記憶的影響不同。外顯記憶很容易受到其他無關(guān)信息的干擾，而內(nèi)隱記憶則不同。
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